Toute la lumière sur le Prix Nobel de physique pour l’année 2014

Comme il est de coutume dans ces périodes, les Prix Nobel de toutes les disciplines y compris la physique sont attribués chaque année en octobre par les membres de l’Académie royale des sciences de Suède. Pour la physique tout particulièrement, et après la révélation du nom du lauréat en ce début octobre, à savoir les chercheurs japonais et américain Isamu Akasaki, Hiroshi Amano et américain Shuji Nakamura, la médaille et le diplôme de la Fondation leur seront officiellement remis par le roi de Suède, le 10 décembre, jour de l’anniversaire de la mort du fondateur du Prix, le chimiste Alfred Nobel. Ceci dit, chaque année, nous avons droit à des festivités transmises à travers la planète par toutes les chaînes de télévisions du monde, couronnant ainsi ceux et celles qui ont fait l’effort d’innover. Ce Prix est une récompense des figures scientifiques éminentes, qui se sont brillamment illustrées en physique et ont rendu de grandes services à l’humanité grâce à une œuvre censée être un apport remarquable en savoirs nouveaux et inédits dans la discipline.
Retenons quelques noms dont les apports en matière d’innovation, ont marqué plus que jamais, ces dernières années, cette science si froide, incontournable et combien lassante. Il s’agit du Prix Nobel de physique de l’année 2010 attribué à A. Geim et K. Novoselov pour leur découverte en 2004 d’un cristal de graphène tout à fait bidimensionnel sous forme d’un feuillet s’étalant sur plusieurs dizaines de nanomètres. Alors qu’on pensait que tels feuillets étaient physiquement impossibles à obtenir car tout simplement ils contredisaient en apparence un résultat mathématique connu sous le nom Mermin-Wagner. Ce résultat était une formulation précise d’un argument étroitement lié aux notions de symétries brisées, donné par le physicien russe L. Landau.
En effet, à l’aide d’un simple ruban adhésif  de la marque scotch, que l’on trouve dans tous les supermarchés, ces deux physiciens ont littéralement pelé des cristaux de graphite, feuille après feuille. Parmi les échantillons obtenus, un petit nombre n’était composé que d’une couche unique d’atomes de carbone très faiblement liés à son support. «J’ai vite réalisé que nous avions obtenu un nouveau type de matériaux, se souvient Andre Geim. Mais, à l’époque, je ne pouvais imaginer qu’il serait à l’origine d’une physique si nouvelle, si riche, et à ce point prometteur en termes d’application».
Ce Prix Nobel de physique leur est revenu surtout, du fait de leur obstination à aller contre le courant fortement instruit donc par L. Landau, excluant toute possibilité d’obtention de cristal bidimensionnel. 
Le graphène comme molécule si précieuse, est apparenté au graphite, matériau dont sont faites les mines de crayon. Comme lui, elle est entièrement composée d’atomes de carbone mais, dans un millimètre de graphite, il y a quelque trois millions de feuillets de graphène empilés. Car, là où le graphite est un arrangement cristallin à trois dimensions, le graphène est, lui, un cristal bidimensionnel, aussi fin qu’un atome. Ces carbones se répartissent parfaitement sur un plan, aux sommets d’hexagones collés les uns aux autres. A notre échelle, la structure évoque un grillage de clôture ou des nids d’abeille. L’épaisseur n’est que de 0,3 nanomètre (un nanomètre vaut un millionième de millimètre) et 0,1 nanomètre seulement sépare deux atomes voisins.
 C’est un sujet si  riche que nous lui avons à lui seul consacré un article intitulé : Graphène et énergie solaire, daté du 9 mai 2013.  
De même pour l’année 2012,  ce Prix Nobel est revenu à Serge Haroche et David Wineland pour les méthodes expérimentales mises au point, qui leur ont permis de manipuler des systèmes quantiques individuels qui sont l’atome et le grain d’énergie photon, à des fins de réalisation du QuBit (Quantum Bit). Ce dernier est défini comme étant l’unité de base équivalente du Bit dans le langage digital, en vue d’édifier le  calculateur quantique. En effet, S. Haroche du Collège de France, dirige une équipe au laboratoire Bossler Kastler (le père du pompage optique) à l’Ecole normale supérieur de Paris, et D. Wineland dirige aussi une équipe à la National institute of standart and technology (NIST), de l’Université du Colorado (USA).
En l’occasion, nous avions rédigé un long article dans Libération que nous avions intitulé : Le Prix Nobel de physique 2012 comme prolongement historique de la théorie quantique. Sa publication a eu lieu dans trois numéros successifs datés du 3, 4 et 5 décembre 2012, qui sont des dates juste avant celle de la remise des Prix Nobel. Nous y avons repris toute l’histoire de l’élaboration de cette théorie ainsi que la confrontation entre les deux Ecoles, celle de N. Bohr dite de Copenhague et celle d’Einstein dite EPR.
Pour l’année 2013, le Prix Nobel de physique est revenu à F. Englert et P. Higgs qui ont théorisé en 1964 le fameux boson de Higgs. C’est une théorie qui n’a pu être validée qu’en 2012 après 50 ans de recherches. En fait, dans les années 60, les physiciens ont commencé à peine à découvrir le monde de l’infiniment petit. Sachant que tout ce qui nous entoure est composé d’atomes, ces atomes eux aussi d’éléments plus petits, qui, à leur tour, sont faits de briques élémentaires. C’est là que les deux physiciens ont eu l’idée géniale de convenir que ces particules élémentaires n’ont pas de masse. C’est dire aussi qu’il existe une autre masse qu’on ne connaît pas encore, et son rôle c’est d’en donner une à ces particules: c’est le boson de Higgs. Dès l’annonce de l’événement il y a presque une année, notre collègue de rang et ami de longue date A. Houmada en poste de directeur des sciences de l’Académie des sciences et techniques Hassan II et ex-membre du BN du SNESUP, fut l’invité sur le plateau de l’une de nos chaînes nationales de télévision où il  a brillamment commenté ce phénomène physique. 
Le Prix Nobel de 2014 est revenu à l’Américain d’origine japonaise Shuji Nakamura et aux Japonais Isamu Akasaki et Hiroshi Amano pour leur invention de la diode électroluminescente émettrice dans plusieurs couleurs y compris la lumière blanche.  Ils sont venus compléter la palette de couleurs à la disposition des producteurs pour couvrir tout le spectre visible, en jouant sur différents alliages à base de GaN, ce qui a rendu possibles des applications comme les écrans à LED, les diodes blanches ou encore les lasers bleus. A titre d’exemple, les diodes laser bleues sont utilisées dans la technologie des disques Blu-ray remplaçants les DVD et qui sont utilisés dans la PlayStation 3 commercialisée par Sony. 
Ce sont des dispositifs obtenus à partir du nitrure de gallium principalement dopé à l’indium, en couches minces ou en hétérostructures. Ce matériau est considéré comme un semi-conducteur à large gap, ce qui lui permet d’être  utilisé par ailleurs en opto-électronique ou dans les dispositifs de hautes puissances et fréquences.
Le nitrure de gallium avec son gap de 3,43 eV  est venu en 1993 comme résultat de recherche de l’équipe (employée par la Nichia company au Japan) dirigée par S. Nakamura, au moment où les seules diodes électroluminescentes (LED) émettant dans le bleu étaient à base de carbure de silicium, un matériau nécessitant d’être dopé pour avoir de bonnes propriétés de semi-conducteur. Mais ce dopage affaiblit le pouvoir d’émission et rend ces dispositifs commercialement inexploitables.
 Les premières LED au nitrure de gallium utilisaient une couche mince de nitrure formée par dépôt d’organométalliques en phase vapeur (MOCCVD) sur du saphir. Depuis, afin de s’affranchir de contraintes dues au désaccord de maille et de dilatation thermique entre le saphir et le GaN, d’autres substrats ont été utilisés (avec plus ou moins de succès) comme l’oxyde de zinc, le silicium ou le carbure de silicium.
 Mais avant de citer dans un ordre chronologique les contributions de chacune des deux équipes des trois lauréats, abordons d’abord le champ disciplinaire dans lequel ils ont brillamment innové par  leurs activités scientifiques. 
 Le matériau qui a  attiré l’attention de ces lauréats est bien le nitrure de gallium (GaN) qui est un semi-conducteur de type III-V (composé chimique formé de deux éléments, le premier appartient à la 3ème colonne et le second à la 5ème du tableau périodique). Il est synthétisé d’abord en couche mince unique sur substrat de saphir, pour ensuite l’étendre à des cas divers d’hétérostructures en le dopant de l’indium ou de l’aluminium. Donnons d’abord un aperçu sur ce matériau, de par son placement dans sa petite famille de nitrures ou, dans sa grande famille des semi-conducteurs dite III-V.
Les plus connus des semi-conducteurs III-V sont d’abord les antimoniures, les arséniures, les phosphures et les nitrures  avec les trois éléments qui reviennent de façon récurrente : le gallium, l’indium et l’aluminium.  Ceci donne pour les antimoniures : l’antimoniure  d’indium, l’antimoniure de gallium et l’antimoniure d’aluminium. 
    - L’antimoniure d’indium de gap 0,17 eV est un composé à gap étroit, qui à l’aide d’un simple calcul de conversion de l’énergie en longueur d’onde, on déduit qu’il peut être opérationnel dans la gamme des infrarouges. Toutes les fonctions lui sont permises, comme détecteur infrarouge, notamment en imagerie thermique, dans les systèmes de guidage autodirecteur infrarouge et en astronomie infrarouge. Les détecteurs à base d’antimoniure d’indium sont sensibles aux longueurs d’ondes comprises entre 1 et 5 micromètres. 
     - L’antimoniure de gallium est un semi-conducteur de gap environ 0,73 eV, ce qui en fait un matériau privilégié pour la réalisation de photodétecteurs infrarouges aussi, de diodes électroluminescentes infrarouges, voire de cellules thermophotovoltaïques.
      - L’antimoniure d’aluminium possède un gap indirect d’environ 1,58 eV, et un gap direct  de 2,22 eV. Son intérêt s’affiche surtout quand il est allié à d’autres composés de sa petite famille pour former des composés ternaires. 
    La famille des arséniures revient avec les mêmes éléments, à savoir l’arséniure de gallium, l’arséniure d’indium et l’arséniure d’aluminium.  
   - D’abord l’arséniure de gallium qui a un gap de 1,42 eV,  il est  utilisé notamment pour réaliser des composants micro-ondes et des composants opto-électroniques, des diodes électroluminescentes dans l’infrarouge ou des cellules photovoltaïques.  
     -  L’arséniure d’indium a un gap de 0,35 eV. De par ce gap réduit, il est souvent utilisé en opto-électronique dans la gamme des rayonnements infrarouges et longueurs d’onde supérieures et aussi comme source de radiation térahertz. L’arséniure d’indium est aussi utilisé pour la fabrication de diodes laser. 
    - L’arséniure d’aluminium avec une bande interdite de 2,12 eV, a presque la même utilisation  que l’arséniure de gallium, même s’ils ont des gaps différents.   
La famille des phosphures comprend identiquement le phosphure de gallium, les phosphures d’indium et d’aluminium. 
   - La phosphure de gallium a un gap de 2,24 eV et sert surtout comme de production de phospho-arséniure de gallium, qui est un matériau utilisé en particulier pour réaliser des composants opto-électroniques, des diodes électroluminescentes et des photodétecteurs dans la lumière visible. 
   - Le phosphure d’indium de gap de 1,34 eV est utilisé dans les applications électroniques à haute fréquence et à haute puissance, vu sa plus grande mobilité électronique comparée à celles des semi-conducteurs plus communs, comme le silicium et l’arséniure de gallium. 
   - Le phosphure d’aluminium est connu surtout par sa toxicité car c’est un sel de phosphore et d’aluminium, à l’aspect de poudre blanche, il est hydrolysant. C’est pourquoi il doit être maintenu au sec, car mélangé à l’eau ou à un acide, il subit un hydrolyse et donne un hydroxyde et de la phosphine, un gaz très dangereux, toxique et inflammable.
La famille qui intéresse nos lauréats est bien les nitrures qui reviennent sous la même forme : nitrure de gallium, nitrure d’indium et nitrure d’aluminium. 
    - Le nitrure de gallium avec son gap de 3,43 eV  est obtenu comme mentionné ci-haut, par l’équipe de S. Nakamura  en 1991 comme couche mince unique sur substrat de saphir. En 1993, la couche mince en question est transformée en dispositif de la forme de diode électroluminescente (LED) au moment où les seules LED émettant dans le bleu étaient à base de carbure de silicium. 
- Le nitrure d’indium existe sous deux formes cristallines, une forme wurtzite stable et une autre blende instable et c’est la première forme qui est étudié avec un gap de 0,67 eV. Sa structure de bandes vient juste d’être établie, après plusieurs années de controverses. Il en de même pour sa conductivité électrique sur laquelle les physiciens n’ont pas encore tranché. Le nitrure d’indium est produit par épitaxie par jets moléculaires (MBE), mais plusieurs problèmes se présentent lors de sa croissance où l’on rencontre de nombreuses difficultés.
A ce sujet, le travail accompli par les lauréats 2014 a surtout consisté à combiner le nitrure d’indium avec le nitrure de gallium GaN, pour obtenir un composé ternaire, le nitrure de gallium-indium (InxGa1-xN). En fonction du ratio d’indium et de gallium, la bande interdite d’un tel composé peut varier entre de 0,7 à 3,4 eV, ce qui couvre le spectre visible. Ce gap étant de plus direct, ce composé est idéal pour la réalisation de diodes électroluminescentes (LED) émettrices dans le bleu, le vert et de la lumière blanche.
- Le nitrure d’aluminium  avec un gap de 6,2 eV est un matériau réfractaire et isolant électrique possédant une très grande conductivité thermique et présentant une grande résistance à l’oxydation et l’abrasion. Il y a de nombreuses recherches pour produire des diodes électroluminescentes à émission dans l’ultraviolet utilisant du nitrure d’aluminium-gallium. 
Parlant des activités scientifiques des trois lauréats, une description détaillée de leurs travaux n’est pas à l’ordre du jour, car il est du sort des journaux ou revues spécialisées d’en faire la décantation. Décrypter ce monde mystérieux de la connaissance et du savoir, qui jusque-là est resté la chasse gardée des élites scientifiques de haut rang, nécessite  l’adoption d’une démarche trop simplifiante  de façon à permettre au grand public non scientifique la saisie des contenus de ces recherches.  Survoler les travaux de ces deux équipes (l’une dirigée par S. Nakamura et l’autre comprenant Hiroshi Amano et Isamu Akasaki) nécessite normalement à chacun tout un article, mais nous avons préféré rassembler au sein de ce même article l’essentiel de leurs activités. Ce que nous faisons dans ce survol, c’est surtout d’apporter aux lecteurs un éclairage sur les démarches scientifiques et les aboutissements de chacune des deux équipes. 
Le Nippo-Américain, Shuji Nakamura a été à la tête d’une équipe de recherche, la première à avoir obtenu un cristal de nitrure de gallium (GaN) en couche mince sur substrat de saphir par le procédé MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition), quand il fut employé par la compagnie japonaise Nichia Chemical Industries Company à Tokushima. La contribution annonçant ce travail a été publiée dans l’un des prestigieux organes de l’American Institute of Physics (AIP), l’Applied Physics Letters de février 1991. Deux années plus tard, en 1993, la même équipe toujours dirigée par S. Nakamura, a pu obtenir par le même procédé MOCVD, une double hétérostructure de période formée par le nitrure de gallium et le nitrure de gallium-indium (GaN dopé à l’indium). Le dispositif obtenu a fait fonction d’une diode émettrice de lumière dans le violet. La même année, une hétérostructure des mêmes composés a été obtenue avec 60 périodes de 200 Angströms d’épaisseur pour chacune.
En 1994, la même équipe a fait fabriquer de la double hétérostructure que nous venons de mentionner, une diode émettrice de lumière dans le bleu à hauteur d’une luminosité de 1 candela, l’équivalent de nos petites lampes de poche, avec une éfficacité quantique de 2,7% seulement. Huit mois plus tard, la couche de nitrure de gallium a été dopée à l’aluminium pour avoir une diode émettrice de lumière à la fois dans le bleu et le vert, les deux des trois  fondamentales de la lumière blanche.
L’hétérostructure en multi-puits quantique à base nitrure de gallium dopé et non dopé à l’indium, a permis de passer à une efficacité quantique de 86%, de quoi avoir une diode laser à maximum de luminescence autour de la longueur d’onde de 406 nanomètres, au cœur donc du bleu mais d’une durée de vie d’à peine 1 seconde due à la forte chaleur générée. En 1997, la même hétérostructure a été perfectionnée pour passer à une durée de vis de 27 heures. En 1998, avec plus de perfectionnement, cette durée de vie est de 200 heures dans une ambiance équivalente à celle de la température normale.
Ce n’est qu’à partir de 1999 qu’on peut constater l’apparition des deux autres lauréats dans la littérature scientifique. En effet, Hiroshi Amano et Isamu Akasaki, tous les deux du ‘’Departement  of Electrical and electronic Engineering, Meijo Université de Nogoya (Japon), contrairement à l’équipe de S. Nakamura, ont obtenu du nitrure de gallium par l’autre procédé, réputé aussi sophistiqué et probant que le MOCVD, qui est l’épitaxie en phase vapeur (MBE).  Toutes les contributions scientifiques qu’ils ont apportées depuis cette date jusqu’à 2002 n’ont concerné que l’ordre structural au lieu de continuer sur la voie de réalisations de LEDs. Les propriétés électriques, optiques ainsi que les effets de nitruration et d’hydrogénation de surface de GaN ont été examinés de leur part. Ce n’est qu’en août dernier (2014) qu’un intéressant travail a été publié joignant en cela les efforts par MOCVD de S. Nakamura, en matière de diodes électroluminescentes (LED). D’ailleurs à l’annonce des lauréats, Hiroshi Amano s’est déclaré surpris pour cette annonce mais ‘’honoré’’ tout de même, comme si la chance parfois devient une loi.
Pendant cette période d’émergence de l’équipe de Nogoya, S. Nakamura quitte la Japan pour s’installer à la Santa Barbara faculty de l’Université de Californie, comme professeur spécialisé dans ‘’Materials and electrical and computer engineering’’ où il est aussi codirecteur de ‘’Solide State Lighting and Display Center’’. Il a obtenu le grand Prix Millennium de Technologie (l’équivalent du Prix Nobel scientifique) en 2006 organisé chaque en Finlande, à l’instar du Prix Nobel en Suède. C’est une récompense pour ses inventions qui ont révolutionné le domaine de nouvelles sources lumineuses : émettrice dans le violet, le bleu, le vert et totalement de la lumière blanche. 

* Professeur et directeur 
de laboratoire de recherche de physique à l’Université Mohammed 1er Oujda
* Membre du Conseil 
national du secteur de 
l’enseignement supérieur de l’USFP.

Sur le plan du marché, intéressons-nous aux seuls écrans LED par exemple comme produit à la consommation par le grand public. Ces derniers ont deux autres concurrents qui sont les écrans plasma et les LCD (Liquid Crystal Display qui signifie affichage par cristaux liquides). Les écrans plasma qui sont une révolution en soi du fait de leurs faibles épaisseurs par rapports aux tubes cathodiques qu’ils ont remplacés, ont montré leur limite à cause des petites pupilles qui, une fois défaillantes, deviennent irremplaçables. Quand leur nombre devient important, ce sont des zones noires qui apparaissent et c’est la qualité de l’image qui est affectée. Pour les LCD, une bonne performance  est atteinte en visualisation d’images, mais ils restent relativement énergivores avec quelques détails qui sont en cours d’être réglés: leur longévité varie entre 50.000 et 60.000 heures, et l’angle de vision est arrivé à hauteur de 178° avec la normale. Ce qui constitue un énorme progrès par rapport aux écrans de départ avec un rétro-éclairage à cathode froide, remplacé par un rétro-éclairage à cathode chaude. C’est l’une des dernières innovations dans ce domaine revenant à Sony pour un téléviseur consommant 40% d’électricité en moins; ce qui correspond à une réduction de consommation de 56 KWh si l’appareil est en fonctionnement 4,5 heures par jour et à 23 kg de dioxyde de carbone émis en moins par an.
Les écrans LED utilisés aujourd’hui sont surtout des multifonctions à base de semi-conducteurs nitrures de gallium, d’indium et d’aluminium, thème débattu dans cet article. Comme il y a aussi les écrans OLED (Organic light emitting diode) qui comprennent des diodes électroluminescentes organiques. Avec ces écrans, on atteint la HD, on obtient des couches fines de quelques dixièmes de millimètres et déformables, d’une consommation d’énergie et d’une longévité inégalées. Sur le plan scientifique, les cristaux moléculaires organiques sont envisagés mais avec certaines réticences dues essentiellement à leur instabilité. Ce qui n’est pas le cas pour les semi-conducteurs nitrures,  qui font l’objet d’énormes convoitises et vivent au rythme d’une concurrence rude même s’ils sont encore mal connus (à l’exception du nitrure de gallium) sur le plan des propriétés physiques, auxquelles on doit ajouter un fort taux d’anisotropie. 
A noter l’exemple du nitrure d’indium, sa structure de bande n’a été établie qu’après plusieurs années de controverse. En particulier, l’obtention par épitaxie à jet moléculaire de cristaux de grande pureté par l’équipe japonaise de  S. Amano qui a permis la mesure avec une grande précision des paramètres de bandes au voisinage du gap.  Sa masse effective des électrons n’a été mesurée que dernièrement grâce à l’étude des oscillations quantiques dans l’effet d’absorption magnéto-optique et sa bande de conduction est par ailleurs fortement non-parabolique.
Au sujet de sa conductivité, des études ont révélé que le nitrure d’indium avait une conductivité électrique qui reste encore un sujet de controverse entre deux hypothèses  d’explication: une oxydation ou un phénomène de courbures de bandes, chaque hypothèse ayant pour conséquence une accumulation d’électrons en surface. Pour le moment, la piste de la courbure de bande est de loin la plus probable. Les physiciens ont donc encore du mal à déterminer les valeurs exactes de cette conductivité, sans parler des constantes élastiques et des interactions fines et hyperfines dans les nitrures de façon générale.
Pour le nitrure d’aluminium, ce que l’on connaît est son gap de 6,2 eV, presque un matériau électriquement isolant possédant une très grande conductivité thermique et présentant une grande résistance à l’oxydation et l’abrasion. Par la valeur de son gap, il est  l’équivalent en longueur d’onde de 210 nanomètres, qui appartient au fond des ultraviolets.  
Sa conductivité, sa structure de bande, sa masse effective demeurent encore dans l’inconnu.  Ceci n’a pas empêché  les physiciens de mener actuellement de nombreuses recherches pour produire des diodes électroluminescentes à émission dans l’ultraviolet  utilisant du nitrure d’aluminium-gallium. Des expériences permettent  comme nous l’avions dit, d’atteindre des longueurs d’ondes des  210 nanomètres, et autoriseraient des émissions jusqu’à 200 nanomètres en principe. Mais il faudra sans doute encore beaucoup de temps avant de voir de tels composés électroniques arriver sur le marché.
 Le manque d’informations autour de ces propriétés reste un obstacle majeur comparé à l’arséniure de gallium et au silicium dont les physiciens connaissent toutes les grandeurs physiques. A tous ces problèmes, on peut rajouter les prix exorbitants de l’indium et de gallium, trop demandés aussi dans la technologie des cellules solaires des deuxième et  troisième générations. Durant les trois dernières années 2011, 2012 et  2013 en particulier, un grand nombre de publications ont fait leur apparition et dédiées exclusivement à cette branche de matériaux.
Le plein essor reste donc devant les écrans LED grâce à leur performance inégalée, avec même les quelques petits inconvénients par rapport aux LCD, que les scientifiques et les industriels tentent de résoudre par tous les moyens. Mais les LCD recèlent encore des problèmes venant d’abord comme les LED de leur utilisation de l’indium qui est une ressource très rare, et des terres rares. Ensuite leur utilisation du mercure en rétro-éclairage, qui est un élément toxique pour l’homme et l’environnement. C’est le même cas pour toutes les lampes d’éclairage dites de faible consommation, qui ne sont que des lampes à fluorescence mercure. On sait les utiliser mais on ne sait pas les traiter à la fin de leur usage, car la plupart sont cassées avant d’être jetées dans les poubelles. C’est le mercure à l’état vapeur qui s’échappe pour se condenser quelque part. Les temps passent et le mercure restera mercure jusqu’à atterrir dans une nappe phréatique ou dans des aliments de consommation. Les conséquences sont évidentes et c’est l’occasion de dire ‘’Halte au mercure’’, car Jusqu’à présent, les techniques de son recyclage ne sont pas encore finalisées comme les déchets nucléaires. 
En conclusion, la principale difficulté pour les écrans LCD rétro-éclairés est de séparer les tubes fluorescents qui contiennent du mercure comme c’est le cas des lampes de faible consommation..